Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "tyrystory" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-18 z 18
Tytuł:
Urządzenia facts - możliwości i ograniczenia
Autorzy:
Machowski, J.
Tematy:
urządzenia FACTS
tyrystory
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 4: Urządzenia facts - możliwości i ograniczenia. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Problemy eksploatacji układów energoelektronicznych z tyrystorami wyłączalnymi (GTO)
Service problems of power electronics circuits with GTO thyristors
Autorzy:
Januszewski, S.
Zymmer, K.
Tematy:
tyrystory wyłączalne
GTO
energoelektronika
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 5: Problemy eksploatacji układów energoelektronicznych z tyrystorami wyłączalnymi (GTO). Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Udoskonalone dyskretne wysokonapięciowe przyrządy półprzewodnikowe
Improve discrete high voltage high power semiconductor instruments
Autorzy:
Januszewski, S.
Tematy:
przyrządy półprzewodnikowe
tyrystory wyłączalne GTO
tyrystory wyłączalne GCT
tranzystory IGBT
tranzystory IEGT
tranzystory polowe
tranzystory polowe MOSFET
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 7: Udoskonalone dyskretne wysokonapięciowe przyrządy półprzewodnikowe. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
45 lat badań przyrządów energoelektronicznych w Instytucie Elektrotechniki
45 years of power electronic device investigations in the Electrotechnical Institute
Autorzy:
Januszewski, S.
Kociszewska-Szczerbik, M.
Świątek, H.
Zabłocki, Z.
Zymmer, K.
Tematy:
przyrządy półprzewodnikowe
diody
tyrystory
metrologia
badania naukowe
Instytut Elektrotechniki
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 8: 45 lat badań przyrządów energoelektronicznych w Instytucie Elektrotechniki. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Praktyczne aspekty wytrzymałości zwarciowej urządzeń z półprzewodnikami mocy
Practical aspects of short-circuit withstand of the power semiconductor devices
Autorzy:
Przybysz, J.
Owsiński, M.
Piątek, Z.
Tematy:
półprzewodniki
tyrystory
diody
wytrzymałość zwarciowa
badania
semiconductors
thyristors
diodes
short circuit withstand
research
Pokaż więcej
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Pozycja nr 11: Praktyczne aspekty wytrzymałości zwarciowej urządzeń z półprzewodnikami mocy. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Praktyczne aspekty wytrzymałości zwarciowej urządzeń z półprzewodnikami mocy
Practical aspects of short-circuit withstand of the power semiconductor devices
Autorzy:
Przybysz, J.
Owsiński, M.
Piątek, Z.
Tematy:
półprzewodniki
tyrystory
diody
wytrzymałość zwarciowa
badania
semiconductors
thyristors
diodes
short circuit withstand
research
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 12: Praktyczne aspekty wytrzymałości zwarciowej urządzeń z półprzewodnikami mocy. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Analiza zabezpieczeń obwodów w przekształtnikach częstotliwości przed zwarciami i przepięciami
Autorzy:
Pytlak, A.
Świątek, H.
Zakrzewski, Z.
Zymmer, K.
Tematy:
przekształtniki częstotliwości
prąd zwarciowy
zabezpieczanie obwodów
ochrona przeciwpożarowa
ochrona przeciwporażeniowa
tyrystory
zabezpieczanie obwodów elektroniki
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 13: Analiza zabezpieczeń obwodów w przekształtnikach częstotliwości przed zwarciami i przepięciami. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Modelowanie procesów dynamicznych w falownikach rezonansowych wysokiej częstotliwości
Multi-time resonance inverter
Autorzy:
Buczek, K.
Tematy:
falowniki rezonansowe
tyrystory szybkie
diody szybkie
tranzystory IGBT
multi-time resonance inverter
fast thyristor
transistor IGBT
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 14: Modelowanie procesów dynamicznych w falownikach rezonansowych wysokiej częstotliwości. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Stan obecny i perspektywy rozwojowe przyrządów energoelektronicznych
State of the art and future trends dealing with power electronic devices
Autorzy:
Januszewski, S.
Tematy:
energetyczne diody prostownicze
tyrystory
bramki MOS
układy scalone
półprzewodniki
gate GCT
thyristors
semiconductors
integrated ciruits
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 15: Stan obecny i perspektywy rozwojowe przyrządów energoelektronicznych. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Uszkodzenia półprzewodnikowych przyrządów mocy w warunkach eksploatacyjnych
Failures of power semiconductor devices in service conditions
Autorzy:
Januszewski, S.
Kociszewska-Szczerbik, M.
Świątek, H.
Zymmer, K.
Tematy:
PPM
sygnałowe przyrządy mocy
analiza uszkodzeń
diody prostownicze
tyrystory SCR
GTO
tranzystory IGBT
PSD
power signal devices
fallure analysis
rectifer diodes
thyristors SCR
transistors IGBT
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 17: Uszkodzenia półprzewodnikowych przyrządów mocy w warunkach eksploatacyjnych. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
    Wyświetlanie 1-18 z 18

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies