Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Prolib Integro - strona głównaBiblioteka Akademicka WSIiZ

Wyszukujesz frazę "tranzystory GaN" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-12 z 12
    Tytuł:
    Przekształtnik wysokiej częstotliwości z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN
    High-frequency power converter using modern GaN transistors
    Autorzy:
    Swadowski, M.
    Zygoń, K.
    Jąderko, A.
    Tematy:
    tranzystory GaN
    straty łączeniowe
    wysoka częstotliwość
    grzanie indukcyjne
    termografia
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 1: Przekształtnik wysokiej częstotliwości z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Przekształtnik wysokiej częstotliwości z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN
    High-frequency power converter using modern GaN transistors
    Autorzy:
    Swadowski, M.
    Zygoń, K.
    Jąderko, A.
    Tematy:
    tranzystory GaN
    straty łączeniowe
    wysoka częstotliwość
    grzanie indukcyjne
    termografia
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 2: Przekształtnik wysokiej częstotliwości z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Badania symulacyjne przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie opartego o tranzystor GaN
    Simulation of a DC/DC boost converter based on a GaN transistor
    Autorzy:
    Paziewski, Piotr
    Tematy:
    tranzystory GaN
    przekształtnik DC/DC
    energoelektronika
    transistors GaN
    DC/DC converter
    power electronics
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 3: Badania symulacyjne przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie opartego o tranzystor GaN. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Badania symulacyjne przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie opartego o tranzystor GaN
    Simulation of a DC / DC boost converter based on a GaN transistor
    Autorzy:
    Paziewski, Piotr
    Tematy:
    tranzystory GaN
    przekształtnik DC/DC
    energoelektronika
    transistors GaN
    DC/DC converter
    power electronic
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 4: Badania symulacyjne przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie opartego o tranzystor GaN. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Application of GaN transistors to increase efficiency of switched-mode power supplies
    Zastosowanie tranzystorów GaN do zwiększenia sprawności przetwornic impulsowych
    Autorzy:
    Aksamit, W.
    Rzeszutko, J.
    Tematy:
    gallium nitride
    GaN transistors
    power conversion
    efficiency
    azotek galu
    tranzystory GaN
    straty mocy w tranzystorach GaN
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 5: Application of GaN transistors to increase efficiency of switched-mode power supplies. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Application of GaN transistors to increase efficiency of switched-mode power supplies
    Zastosowanie tranzystorów GaN do zwiększenia sprawności przetwornic impulsowych
    Autorzy:
    Aksamit, W.
    Rzeszutko, J.
    Tematy:
    gallium nitride
    GaN transistors
    power conversion
    efficiency
    azotek galu
    tranzystory GaN
    straty mocy w tranzystorach GaN
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 6: Application of GaN transistors to increase efficiency of switched-mode power supplies. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie z wykorzystaniem tranzystora w technologii GaN
    Step-up DC/DC converter using GaN transistor
    Autorzy:
    Paziewski, P.
    Supronowicz, H.
    Suproniuk, M.
    Tematy:
    azotek galu
    tranzystory GaN
    przekształtnik DC/DC
    energoelektronika
    gallium nitride
    transistors GaN
    DC/DC converter
    power electronics
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 7: Przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie z wykorzystaniem tranzystora w technologii GaN. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Niskonapięciowy prostownik synchroniczny z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN
    Low-voltage synchronous rectifier with modern transistors GaN
    Autorzy:
    Swadowski, M.
    Zygoń, K.
    Jąderko, A.
    Tematy:
    tranzystory GaN
    azotek galu
    straty przełączeniowe
    prostownik synchroniczny
    GaN FET
    gallium nitride
    switching power losses
    synchronous rectifier
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 8: Niskonapięciowy prostownik synchroniczny z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Zastosowanie tranzystorów GaN w przekształtnikach DC/DC
    Application of GaN transistors in DC/DC converters
    Autorzy:
    Paziewski, Piotr
    Suproniuk, Marek
    Perka, Bogdan
    Piwowarski, Karol
    Kaczmarek, Witold
    Tematy:
    energoelektronika
    przekształtnik DC/DC
    przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie
    tranzystory GaN
    power electronics
    DC/DC converter
    boost converter
    GaN transistors
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 9: Zastosowanie tranzystorów GaN w przekształtnikach DC/DC. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Zastosowanie tranzystorów HEMT z azotku galu w impulsowych przekształtnikach mocy
    Autorzy:
    Janke, W.
    Tematy:
    azotek galu
    GaN
    tranzystory HEMT
    impulsowe przekształtniki mocy
    gallium nitride
    HEMT transistor
    power converters
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 11: Zastosowanie tranzystorów HEMT z azotku galu w impulsowych przekształtnikach mocy. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-12 z 12

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies