- Tytuł:
-
Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w węgliku krzemu
Fabrication and characterization of thin hafnium oxide films for application in silicon carbide MOSFET technology - Autorzy:
-
Taube, A.
Korwin-Mikke, K.
Gutt, T.
Małachowski, T.
Pasternak, I.
Wzorek, M.
Łaszcz, A.
Płuska, M.
Rzodkiewicz, W.
Piotrowska, A.
Gierałtowska, S.
Sochacki, M.
Mroczyński, R.
Dynowska, E.
Szmidt, J. - Tematy:
-
tlenek hafnu
tlenek aluminium
tlenek krzemu
MOSFET
węglik krzemu
kondensator MIS
dielektryki
przenikalność elektryczna dielektryków
silicon carbide
silicon dioxide
aluminum oxide
hafnium oxide
MIS capacitor high-k dielectrics - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł