Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "plazma wysokiej częstotliwości" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
RF plasma surface hydrophobization of starch: differences between non-reactive and reactive gas treatment
Plazmowa hydrofobizacja skrobi: różnice między działaniem gazów niereaktywnych i reaktywnych
Autorzy:
Kaczmarek, M.
Gazicki-Lipman, M.
Klimek, L.
Szymanowski, H.
Tematy:
skrobia ziemniaczana
skrobia modyfikowana
hydrofobowość
plazma wysokiej częstotliwości
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 1: RF plasma surface hydrophobization of starch: differences between non-reactive and reactive gas treatment. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Plazmowe wytwarzanie warstw nanokrystalicznego diamentu na narzędziach skrawających do materiałów drewnopochodnych
Generation of nanocrystalline diamond coating plasma spray in cutting tools for wood-base materials
Autorzy:
Niedzielski, P.
Grabarczyk, J.
Gołąbczak, A.
Zahalka, P.
Tematy:
materiały drewnopochodne
nanokrystaliczny diament (NCD)
plazma wysokiej częstotliwości
trwałość narzędzi
węgliki spiekane
high frequency plasma
nanocrystalline diamond (NCD)
sintered carbide
tool lifetime
wood-base material
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 2: Plazmowe wytwarzanie warstw nanokrystalicznego diamentu na narzędziach skrawających do materiałów drewnopochodnych. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Modelowanie rozkładu energetycznego jonów w plazmie w. cz. przez dopasowanie teoretycznych profili poimplantacyjnych do profilu uzyskanego z pomiarów SIMS
A novel method of energy distribution of ions in r. f plasma evaluation by compared fluorine distribution profiles simulated by SRIM with fluorine distribution profile obtained by SIMS
Autorzy:
Kalisz, M.
Beck, R. B.
Tematy:
plazma wysokiej częstotliwości
bardzo płytka implantacja jonów
profile rozkładu fluoru
reaktywne trawienie jonowe
RF plasma
ultra-shallow ion implantation
fluore distribution profiles
ion energy spectrum
reactive ion etching
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 3: Modelowanie rozkładu energetycznego jonów w plazmie w. cz. przez dopasowanie teoretycznych profili poimplantacyjnych do profilu uzyskanego z pomiarów SIMS. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies