Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Prolib Integro - strona głównaBiblioteka Akademicka WSIiZ

Wyszukujesz frazę "plasma etching" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-36 z 36
    Tytuł:
    Properties of Al contacts to Si surface exposed in the course of plasma etching of previously grown nanocrystalline c-BN film
    Autorzy:
    Firek, P.
    Werbowy, A.
    Szmidt, J.
    Olszyna, A. R.
    Tematy:
    cubic boron nitride
    plasma etching
    electric contacts
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2005
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 1: Properties of Al contacts to Si surface exposed in the course of plasma etching of previously grown nanocrystalline c-BN film. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Properties of Al contacts to Si surface exposed in the course of plasma etching of previously grown nanocrystalline c-BN film
    Autorzy:
    Firek, P.
    Werbowy, A.
    Szmidt, J.
    Olszyna, A. R.
    Tematy:
    cubic boron nitride
    plasma etching
    electric contacts
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 2: Properties of Al contacts to Si surface exposed in the course of plasma etching of previously grown nanocrystalline c-BN film. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Analysis of the Dispersion of Electrical Parameters and Characteristics of FinFET Devices
    Autorzy:
    Malinowski, A.
    Tomaszewski, D.
    Łukasiak, L.
    Jakubowski, A.
    Sekine, M.
    Hori, M.
    Korwin-Pawlowski, M. L.
    Tematy:
    FinFET
    line edge roughness
    parameter variability
    plasma etching
    technology computer aided design (TCAD)
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 5: Analysis of the Dispersion of Electrical Parameters and Characteristics of FinFET Devices. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Analysis of the Dispersion of Electrical Parameters and Characteristics of FinFET Devices
    Autorzy:
    Malinowski, A.
    Tomaszewski, D.
    Łukasiak, L.
    Jakubowski, A.
    Sekine, M.
    Hori, M.
    Korwin-Pawlowski, M. L.
    Tematy:
    FinFET
    line edge roughness
    parameter variability
    plasma etching
    technology computer aided design (TCAD)
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 6: Analysis of the Dispersion of Electrical Parameters and Characteristics of FinFET Devices. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ materiału maskującego na jakość odwzorowania w procesie suchego trawienia węglika krzemu 4H-SiC w plazmie chlorowej
    Influence of masking materials on the quality of mapping in silicon carbide 4H-SiC dry etching processes in chlorine plasma
    Autorzy:
    Stonio, Bartłomiej
    Kwietniewski, Norbert
    Firek, Piotr
    Słowikowski, Mateusz
    Pavłov, Krystian
    Sochacki, Mariusz
    Szmidt, Jan
    Tematy:
    węglik krzemu
    4H-SiC
    trawienie plazmowe
    Cl2
    ICP
    silicon carbide
    plasma etching
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 8: Wpływ materiału maskującego na jakość odwzorowania w procesie suchego trawienia węglika krzemu 4H-SiC w plazmie chlorowej. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ reaktywnego trawienia jonowego wspomaganego plazmą BCl3 na jakość powierzchni węglika krzemu 4H-SiC
    Investigation of reactive ion etching using BCl3 plasma on the 4H-SiC surface quality
    Autorzy:
    Stonio, Bartłomiej
    Kwietniewski, Norbert
    Firek, Piotr
    Słowikowski, Mateusz
    Pavłov, Krystian
    Caban, Piotr
    Sochacki, Mariusz
    Szmidt, Jan
    Tematy:
    suche trawienie
    4H-SiC
    jakość powierzchni
    techniki plazmowe
    silicon carbide
    plasma etching
    surface quality
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 9: Wpływ reaktywnego trawienia jonowego wspomaganego plazmą BCl3 na jakość powierzchni węglika krzemu 4H-SiC. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Modyfikacja powierzchni folii poliimidowej w wyładowaniu barierowym z zastosowaniem różnych gazów roboczych
    Surface modification of polyimide film with dielectric barrier discharge under different plasma gases
    Autorzy:
    Kalczewska, M.
    Opalińska, T.
    Więch, M.
    Tematy:
    wyładowanie z barierą dielektryka
    plazma
    poliimid
    trawienie plazmowe
    modyfikacja powierzchni
    dielectric barrier discharge
    plasma
    polyimide
    plasma etching
    surface modification
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 10: Modyfikacja powierzchni folii poliimidowej w wyładowaniu barierowym z zastosowaniem różnych gazów roboczych. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Zastosowanie procesu Boscha do plazmowego trawienia krzemu
    Bosch process for silicon plasma etching
    Autorzy:
    Góra, K.
    Kozłowski, A.
    Tematy:
    proces Boscha
    ICP
    trawienie plazmowe krzemu
    współczynnik kształtu
    Bosch process
    plasma etching
    high aspect ratio
    silicon etched profile
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 11: Zastosowanie procesu Boscha do plazmowego trawienia krzemu. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi
    GaN-based light emitting diodes with surface photonic crystals
    Autorzy:
    Gołaszewska, K.
    Kruszka, R.
    Myśliwiec, M.
    Ekielski, M.
    Jung, W.
    Piotrowski, T.
    Juchniewicz, M.
    Bar, J.
    Wzorek, M.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Sarzała, R. P.
    Dems, M.
    Wojtas, J.
    Mędrzycki, R.
    Prystawko, P.
    Tematy:
    diody elektroluminescencyjne
    GaN
    przyrządy półprzewodnikowe
    kryształy fotoniczne
    trawienie plazmowe
    light emitting diodes
    semiconductor devices
    photonic crystals
    plasma etching
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 12: Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Polisiloksanowe powłoki implantów medycznych : wpływ plazmy fluorowej na skład chemiczny i właściwości polisiloksanu
    Plasma treated polysiloxane coating for medical implants
    Autorzy:
    Szmigiel, D.
    Domański, K.
    Prokaryn, P.
    Grabiec, P.
    Pamuła, E.
    Ścisłowska-Czarnecka, A.
    Płytycz, B.
    Tematy:
    elastomer
    polisiloksan
    powłoki implantów medycznych
    trawienie plazmowe
    właściwości powierzchni
    silicone elastomer
    polysiloxane
    coating for medical implants
    plasma etching
    surface properties
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 14: Polisiloksanowe powłoki implantów medycznych : wpływ plazmy fluorowej na skład chemiczny i właściwości polisiloksanu. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Zastosowanie procesu Boscha do plazmowego trawienia krzemu = Bosch process for silicon plasma etching
    Zastosowanie procesu Boscha do plazmowego trawienia krzemu
    Materiały Elektroniczne 2011 T.39 nr 2
    Autorzy:
    Góra Krzysztof
    Współwytwórcy:
    Kozłowski Andrzej
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    ITME
    Forma i typ:
    Tekst
    Tekst
    Dostawca treści:
    RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
    Pozycja nr 15: Zastosowanie procesu Boscha do plazmowego trawienia krzemu = Bosch process for silicon plasma etching. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Książka
    Tytuł:
    Wytwarzanie, trawienie plazmowe i właściwości cienkich warstw BaTiO3 do zastosowań elektronicznych
    Deposition, plasma etching and properties of BaTiO3 thin films for electronic aplication
    Autorzy:
    Firek, P.
    Werbowy, A.
    Kwietniewski, N.
    Szmidt, J.
    Olszyna, A.
    Ćwil, M.
    Tematy:
    tytanian baru
    osadzanie w plazmie impulsowej
    rozpylanie w plazmie o częstotliwości radiowej
    morfologia powierzchni
    właściwości elektryczne
    trawienie plazmowe
    barium titanate
    impulse plasma ablation deposition
    radio frequency plasma sputerring deposition
    surface morphology
    electrical propeties
    plasma etching
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 16: Wytwarzanie, trawienie plazmowe i właściwości cienkich warstw BaTiO3 do zastosowań elektronicznych. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ trawienia plazmą na wybrane parametry cienkich warstw CdTe i SnO2 dla zastosowań fotowoltaicznych
    The influence of plasma etching on selected parameters of thin layers CdTe and SnO2 for photovoltaic applications
    Autorzy:
    Lichograj, R.
    Olchowik, J. M.
    Lichograj, P.
    Czernik, S.
    Tematy:
    tellurek kadmu
    tlenek cyny
    cienka warstwa
    napylanie magnetronowe
    rozpylanie jonowe
    trawienie plazmowe
    modyfikacja powierzchni
    ogniwo fotowoltaiczne
    cadmium telluride
    tin oxide
    thin layer
    magnetron sputtering
    ion sputtering
    plasma etching
    surface modification
    photovoltaic cell
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 17: Wpływ trawienia plazmą na wybrane parametry cienkich warstw CdTe i SnO2 dla zastosowań fotowoltaicznych. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    A non-lithographic plasma nanoassembly technology for polymeric nanodot and silicon nanopillar fabrication
    Autorzy:
    Zeniou, Angelos
    Awsiuk, Kamil
    Constantoudis, Vassilios
    Smyrnakis, Athanasios
    Gogolides, Evangelos
    Data publikacji:
    2019
    Forma i typ:
    artykuł w czasopiśmie
    Dostawca treści:
    Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego
    Pozycja nr 19: A non-lithographic plasma nanoassembly technology for polymeric nanodot and silicon nanopillar fabrication. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    The role of fluorine-containing ultra-thin layer in controlling boron thermal diffusion into silicon
    Autorzy:
    Kalisz, M.
    Beck, R. B.
    Barcz, A.
    Ćwil, M.
    Tematy:
    fluorine
    reactive ion etching
    silicon fluoride
    boron thermal diffusion
    fluorocarbon plasma
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 21: The role of fluorine-containing ultra-thin layer in controlling boron thermal diffusion into silicon. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Novel Method of Improving Electrical Properties of Thin PECVD Oxide Films by Fluorination of Silicon Surface Region by RIE in RF CF4 Plasma
    Autorzy:
    Kalisz, M.
    Głuszko, G.
    Beck, R. B.
    Tematy:
    capacitance-voltage characteristics
    current-voltage characteristics
    fluorine plasma
    radio frequency reactive ion etching
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 23: Novel Method of Improving Electrical Properties of Thin PECVD Oxide Films by Fluorination of Silicon Surface Region by RIE in RF CF4 Plasma. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Novel Method of Improving Electrical Properties of Thin PECVD Oxide Films by Fluorination of Silicon Surface Region by RIE in RF CF4 Plasma
    Autorzy:
    Kalisz, M.
    Głuszko, G.
    Beck, R. B.
    Tematy:
    capacitance-voltage characteristics
    current-voltage characteristics
    fluorine plasma
    radio frequency reactive ion etching
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 25: Novel Method of Improving Electrical Properties of Thin PECVD Oxide Films by Fluorination of Silicon Surface Region by RIE in RF CF4 Plasma. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    The Zno Nano Material Interaction With Nd:YAG Laser Under Vacuum
    Autorzy:
    Hussam, N. Mohammed Ali
    Yahya, Abdulkreem Salman
    Tematy:
    Langmuir probe
    Nd:YAG laser etching
    Plasma generation
    ZnO nanomaterial
    electron density
    electron temperature
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 26: The Zno Nano Material Interaction With Nd:YAG Laser Under Vacuum. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Modification of polyimide surface with the use of atmospheric pressure cold plasma method
    Modyfikacja powierzchni poliimidowych z wykorzystaniem metody zimnej plazmy generowanej pod ciśnieniem atmosferycznym
    Autorzy:
    Kalczewska, M.
    Opalińska, T.
    Tematy:
    plazma
    poliimid
    trawienie
    wyładowanie barierowe
    modyfikacja powierzchni
    plasma
    polyimide
    etching
    dielectric barrier discharge
    surface modification
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 27: Modification of polyimide surface with the use of atmospheric pressure cold plasma method. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Nanostemplowanie w zastosowaniu do wytwarzania struktur fotonicznych w GaN
    GaN photonic structures fabrication using nanoimprint technology
    Autorzy:
    Ekielski, M.
    Sidor, Z.
    Juchniewicz, M.
    Płuska, M.
    Wzorek, M.
    Piotrowska, A.
    Kolkovsky, V.
    Żytkiewicz, Z.
    Gruszka, M.
    Kucharski, R.
    Tematy:
    nanostemplowanie
    trawienie
    plazma BCl3/CI2
    GaN
    nanoimprint
    dry etching
    BCI3/CI2 plasma
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 28: Nanostemplowanie w zastosowaniu do wytwarzania struktur fotonicznych w GaN. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Reaktywne trawienie jonowe heterostruktur AlGaN/GaN w plazmie Cl₂/BCl₃
    Reactive ion etching of AlGaN/GaN heterostructures in Cl₂/BCI₃ plasma
    Autorzy:
    Gryglewicz, J.
    Oleszkiewicz, W.
    Wośko, M.
    Szyszka, A.
    Paszkiewicz, B.
    Tematy:
    reaktywne trawienie jonowe
    plazma
    DC bias
    heterostruktura AlGaN/GaN
    reactive ion etching
    plasma
    AlGaN/GaN heterostructure
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 29: Reaktywne trawienie jonowe heterostruktur AlGaN/GaN w plazmie Cl₂/BCl₃. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma
    Autorzy:
    Kalisz, M.
    Głuszko, G.
    Beck, R. B.
    Tematy:
    capacitance-voltage characteristics
    current-voltage characteristics
    fluorine plasma
    high temperature annealing process
    radio frequency reactive ion etching
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 30: The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma
    Autorzy:
    Kalisz, M.
    Głuszko, G.
    Beck, R. B.
    Tematy:
    capacitance-voltage characteristics
    current-voltage characteristics
    fluorine plasma
    high temperature annealing process
    radio frequency reactive ion etching
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 31: The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Trawienie fosforku indu w plaźmie chlorowej metodą ICP
    Etching of indium phosphide by ICP in Cl2 : based plasma
    Autorzy:
    Ruta, Ł.
    Kalinowski, A.
    Fałkowski, G.
    Besland, M.-P.
    Tematy:
    suche trawienie fosforku indu
    metoda indukcyjnie sprzężonej plazmy
    dry etching of indium phosphide
    inductively coupled plasma method
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 32: Trawienie fosforku indu w plaźmie chlorowej metodą ICP. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Kontrolowane trawienia plazmą BCI₃/Ar cienkich warstw AlGaN dla technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN
    Controlled etching of thin AlGaN films using BCI₃/Ar plasma for AlGaN/ GaN HEMT technology
    Autorzy:
    Kruszka, R.
    Gołaszewska, K.
    Taube, A.
    Sidor, Z.
    Borysiewicz, M.
    Żytkiewicz, Z. R.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Tematy:
    AlGaN/GaN
    HEMT
    trawienie warstwy podkontaktowej
    plazma BCI3
    kontakty omowe
    contact recess etching
    BCI3 plasma
    ohmic contacts
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 33: Kontrolowane trawienia plazmą BCI₃/Ar cienkich warstw AlGaN dla technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Natrysk plazmowy, trawienie, piaskowanie - nowe rozwiązania dla medycyny.
    Plasma spraying, etching, sand blasting - new solutions for medicine.
    Autorzy:
    Łukowski, J.
    Skura, M.
    Tematy:
    natrysk plazmowy
    trawienie
    piaskowanie
    wszczep protetyczny
    medycyna
    powierzchnia rozwinięta
    mikrostruktura
    plasma spraying
    etching
    sand blasting
    implant
    medicine
    developing surface
    microstructure
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 34: Natrysk plazmowy, trawienie, piaskowanie - nowe rozwiązania dla medycyny.. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Powłoki BN otrzymywane metodą impulsowo plazmową.
    BN coatings obtained by the pulse plasma method.
    Autorzy:
    Michalski, A.
    Sobczak, S.
    Kupczyk, M.
    Tematy:
    powłoka BN
    powłoka azotkowa
    metoda impulsowo-plazmowa
    płytka skrawająca
    trwałość
    adhezja
    trawienie chemiczne
    BN coatings
    pulse plasma method
    tool insert
    lifetime
    adhesion
    chemical etching
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 35: Powłoki BN otrzymywane metodą impulsowo plazmową.. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Modelowanie rozkładu energetycznego jonów w plazmie w. cz. przez dopasowanie teoretycznych profili poimplantacyjnych do profilu uzyskanego z pomiarów SIMS
    A novel method of energy distribution of ions in r. f plasma evaluation by compared fluorine distribution profiles simulated by SRIM with fluorine distribution profile obtained by SIMS
    Autorzy:
    Kalisz, M.
    Beck, R. B.
    Tematy:
    plazma wysokiej częstotliwości
    bardzo płytka implantacja jonów
    profile rozkładu fluoru
    reaktywne trawienie jonowe
    RF plasma
    ultra-shallow ion implantation
    fluore distribution profiles
    ion energy spectrum
    reactive ion etching
    Pokaż więcej
    Dostawca treści:
    BazTech
    Pozycja nr 36: Modelowanie rozkładu energetycznego jonów w plazmie w. cz. przez dopasowanie teoretycznych profili poimplantacyjnych do profilu uzyskanego z pomiarów SIMS. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-36 z 36

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies