Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Prolib Integro - strona głównaBiblioteka Akademicka WSIiZ

Wyszukujesz frazę "42.55.Px" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-37 z 37
    Tytuł:
    Comparison of Long-Time Delay in Lasing in Homo- and Heteroepitaxially Grown II-VI Laser Diodes
    Autorzy:
    Isemann, A.
    Behringer, M.
    Wenisch, H.
    Fehrer, M.
    Ohkawa, K.
    Hommel, D.
    Tematy:
    42.55.Px
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    1998-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 1: Comparison of Long-Time Delay in Lasing in Homo- and Heteroepitaxially Grown II-VI Laser Diodes. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Far-Infrared Few-Cycle-Pulse Generation in Quantum-Well Heterostructures under Femtosecond Laser Pumping
    Autorzy:
    Belyanin, A. A.
    Kocharovsky, V. V.
    Kocharovsky, Vl. V.
    Pestov, D. S.
    Scully, M. O.
    Tematy:
    42.55.Px
    42.60.-v
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2005-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 2: Far-Infrared Few-Cycle-Pulse Generation in Quantum-Well Heterostructures under Femtosecond Laser Pumping. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Dynamics of the Intraband Light Absorption in Selectively Doped GaAs/AlGaAs Quantum Wells
    Autorzy:
    Vorobjev, L.
    Panevin, V.
    Fedosov, N.
    Firsov, D.
    Shalygin, V.
    Seilmeier, A.
    Schmidt, S.
    Zibik, E.
    Towe, E.
    Kapaev, V.
    Tematy:
    42.55.Px
    42.60.-v
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2005-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 3: Dynamics of the Intraband Light Absorption in Selectively Doped GaAs/AlGaAs Quantum Wells. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Mode-Locked Dual-Wavelength Heterolasers for Terahertz Generation via Intracavity Wave Mixing
    Autorzy:
    Belyanin, A.
    Kocharovsky, V.
    Kocharovsky, Vl.
    Kukushkin, V.
    Andrianov, A.
    Aleshkin, V.
    Dubinov, A.
    Tematy:
    42.55.Px
    42.65.Ky
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2008-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 4: Mode-Locked Dual-Wavelength Heterolasers for Terahertz Generation via Intracavity Wave Mixing. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Parametric Generation of Middle and Far Infrared Radiation in GaAs-Based Semiconductor Lasers and Waveguides
    Autorzy:
    Aleshkin, V. Ya.
    Afonenko, A. A.
    Biryukov, A.
    Gavrilenko, V. I.
    Dubinov, A. A.
    Kocharovsky, Vl. V.
    Morozov, S. V.
    Maremynin, K. V.
    Nekorkin, S. M.
    Zvonkov, B. N.
    Zvonkov, N. B.
    Tematy:
    42.55.Px
    42.65.-k
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2005-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 5: Parametric Generation of Middle and Far Infrared Radiation in GaAs-Based Semiconductor Lasers and Waveguides. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Pressure and Temperature Dependence of Threshold Current in Semiconductor Lasers Based on InGaAs/GaAs Quantum-Well Systems
    Autorzy:
    Maziarz, M.
    Piechal, B.
    Bercha, A.
    Bohdan, R.
    Trzeciakowski, W.
    Majewski, J. A.
    Tematy:
    42.55.Px
    85.60.Jb
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2007-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 6: Pressure and Temperature Dependence of Threshold Current in Semiconductor Lasers Based on InGaAs/GaAs Quantum-Well Systems. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Theoretical Analysis of Optical Gain in Quantum Well Lasers Including Valence-Band Mixing Effect
    Autorzy:
    Łepkowski, S.
    Bugajski, M.
    Tematy:
    73.20.Dx
    42.55.Px
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    1997-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 7: Theoretical Analysis of Optical Gain in Quantum Well Lasers Including Valence-Band Mixing Effect. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Fermi-Edge Singularity in Luminescence Spectra of P-Type Modulation Doped AlGaAs/GaAs Quantum Wells
    Autorzy:
    Bugajski, M.
    Godlewski, M.
    Regiński, K.
    Holtz, P. O.
    Bergman, J. P.
    Monemar, B.
    Tematy:
    42.55.Px
    73.20.Dx
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    1998-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 8: Fermi-Edge Singularity in Luminescence Spectra of P-Type Modulation Doped AlGaAs/GaAs Quantum Wells. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Optimization of InGaN laser diodes based on numerical simulations
    Autorzy:
    Sakowski, K.
    Strak, P.
    Krukowski, S.
    Marcinkowski, L.
    Tematy:
    42.55.Px
    02.60.Cb
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2016-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 9: Optimization of InGaN laser diodes based on numerical simulations. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Growth and Characterization of Vanadate Laser Crystals
    Autorzy:
    Yu, H.
    Zhang, H.
    Wang, J.
    Tematy:
    81.10.Fq
    42.55.Px
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2013-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 10: Growth and Characterization of Vanadate Laser Crystals. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Wide Range Wavelength Tuning of InGaAsP/InP Laser Diodes
    Autorzy:
    Bajda, M.
    Trzeciakowski, W.
    Majewski, J.
    Tematy:
    42.55.Px
    85.60.Jb
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2011-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 11: Wide Range Wavelength Tuning of InGaAsP/InP Laser Diodes. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Experimental Investigation of Hot Carriers in Terahertz Quantum Cascade Lasers
    Autorzy:
    Scamarcio, G.
    Vitiello, M.
    Spagnolo, V.
    Tematy:
    42.55.Px
    68.65.Fg
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2008-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 12: Experimental Investigation of Hot Carriers in Terahertz Quantum Cascade Lasers. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Analyzing the Intracavity Frequency Doubling of the Simultaneous Q-Switched Mode-Locked Diode-Pumped Pulsed $Nd^{3+}$ Laser with $Cr^{4+}$:YAG as a Polarized Saturable Absorber
    Autorzy:
    Abdul Ghani, B.
    Hammadi, M.
    Tematy:
    42.55.Px
    42.55.Rz
    42.68.Mj
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2011-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 13: Analyzing the Intracavity Frequency Doubling of the Simultaneous Q-Switched Mode-Locked Diode-Pumped Pulsed $Nd^{3+}$ Laser with $Cr^{4+}$:YAG as a Polarized Saturable Absorber. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Characterization of the Output Pulses of a Simultaneous Q-Switched and Mode-Locked Intracavity Frequency-Doubled Diode-Pumped Pulsed $Nd^{3+}$-Laser
    Autorzy:
    Abdul Ghani, B.
    Hammadi, M.
    Tematy:
    42.55.Px
    42.55.Rz
    42.68.Mj
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2012-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 14: Characterization of the Output Pulses of a Simultaneous Q-Switched and Mode-Locked Intracavity Frequency-Doubled Diode-Pumped Pulsed $Nd^{3+}$-Laser. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Physics of Stimulated Emission in Blue Semiconductor Lasers
    Autorzy:
    Nurmikko, A. V.
    Tematy:
    42.55.Px
    42.55.Sa
    71.55.Eq
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    1999-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 15: Physics of Stimulated Emission in Blue Semiconductor Lasers. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Analysis of Gain-Switching in Two-Section Tapered Lasers
    Autorzy:
    Adamiec, P.
    Tijero, J.
    Esquivias, I.
    Tematy:
    42.55.Px
    42.55.Ah
    07.05.Tp
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2013-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 16: Analysis of Gain-Switching in Two-Section Tapered Lasers. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical mm-Wave Synthesizer Using Semiconductor Ring Laser (a Review)
    Autorzy:
    Memon, M.
    Siraj, M.
    Fathallah, H.
    Tematy:
    42.55.Px
    42.65.Hw
    84.40.-x
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2015-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 18: Optical mm-Wave Synthesizer Using Semiconductor Ring Laser (a Review). Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Optically Pumped Mid-Infrared Stimulated Emission of ZnSe:Cr Crystals
    Autorzy:
    Ivanov, V. Yu.
    Godlewski, M.
    Szczerbakow, A.
    Omel'chuk, A.
    Davydov, A.
    Zhavoronkov, N.
    Raciukaitis, G.
    Tematy:
    42.55.Px
    42.55.Rz
    42.62.Be
    78.55.Et
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2004-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 19: Optically Pumped Mid-Infrared Stimulated Emission of ZnSe:Cr Crystals. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Optically Pumped Laser Action on Nitride Based Separate Confinement Heterostructures Grown along the (11¯20) Crystallographic Direction
    Autorzy:
    Teisseyre, H.
    Szymański, M.
    Khachapuridze, A.
    Skierbiszewski, C.
    Feduniewicz-Żmuda, A.
    Siekacz, M.
    Łucznik, B.
    Kamler, G.
    Kryśko, M.
    Suski, T.
    Perlin, P.
    Grzegory, I.
    Porowski, S.
    Tematy:
    42.55.Px
    78.45.+h
    78.66.Fd
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2007-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 20: Optically Pumped Laser Action on Nitride Based Separate Confinement Heterostructures Grown along the (11¯20) Crystallographic Direction. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Calculation Method for the Bandgap of Antimonide Based Multicomponent Alloys
    Autorzy:
    An, N.
    Liu, C.
    Fan, C.
    Dong, X.
    Song, Q.
    Tematy:
    81.05.Ea
    42.55.Px
    81.15.Hi
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2018-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 21: Calculation Method for the Bandgap of Antimonide Based Multicomponent Alloys. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Side-Mode-Suppression-Ratio οf Injection-Locked Fabry-Perot Lasers
    Autorzy:
    Krstić, M.
    Gvozdić, D.
    Tematy:
    42.55.Px
    42.60.Fc
    42.60.Rn
    42.60.Lh
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2009-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 22: Side-Mode-Suppression-Ratio οf Injection-Locked Fabry-Perot Lasers. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Fast Speed Semiconductor Ring Lasers Using Optical Injection Locking
    Autorzy:
    Memon, M.
    Fathallah, H.
    Yu, S.
    Tematy:
    42.55.Px
    42.55.Sa
    42.60.By
    42.60.Fc
    42.65.Pc
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2013-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 23: Fast Speed Semiconductor Ring Lasers Using Optical Injection Locking. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Network Structure of Phonographic Market with Characteristic Similarities between Artists
    Autorzy:
    Buda, A.
    Jarynowski, A.
    Tematy:
    89.65.Gh
    05.45.-a
    42.65.Sf
    42.55.Px
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2013-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 24: Network Structure of Phonographic Market with Characteristic Similarities between Artists. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Waveguide Design for Long Wavelength InGaN Based Laser Diodes
    Autorzy:
    Muzioł, G.
    Turski, H.
    Siekacz, M.
    Sawicka, M.
    Wolny, P.
    Cheze, C.
    Cywiński, G.
    Perlin, P.
    Skierbiszewski, C.
    Tematy:
    42.55.Px
    85.60.-q
    42.82.Et
    81.15.Hi
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2012-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 25: Waveguide Design for Long Wavelength InGaN Based Laser Diodes. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    From High Electron Mobility GaN/AlGaN Heterostructures to Blue-Violet InGaN Laser Diodes. Perspectives of MBE for Nitride Optoelectronics
    Autorzy:
    Skierbiszewski, C.
    Tematy:
    42.55.Px
    85.35.Be
    42.60.By
    73.21.Cd
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2005-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 26: From High Electron Mobility GaN/AlGaN Heterostructures to Blue-Violet InGaN Laser Diodes. Perspectives of MBE for Nitride Optoelectronics. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    High Power Continuous Wave Blue InAlGaN Laser Diodes Made by Plasma Assisted MBE
    Autorzy:
    Skierbiszewski, C.
    Siekacz, M.
    Wiśniewski, P.
    Perlin, P.
    Feduniewicz-Żmuda, A.
    Cywiński, G.
    Smalc, J.
    Grzanka, S.
    Grzegory, I.
    Leszczyński, M.
    Porowski, S.
    Tematy:
    42.55.Px
    85.35.Be
    42.60.By
    73.21.Cd
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2006-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 27: High Power Continuous Wave Blue InAlGaN Laser Diodes Made by Plasma Assisted MBE. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Angular and Temperature Tuning of Emission from Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Lasers (VECSELs)
    Autorzy:
    Wójcik-Jedlińska, A.
    Muszalski, J.
    Bugajski, M.
    Łukowski, M.
    Tematy:
    42.55.Px
    85.35.Be
    78.67.De
    42.55.Sa
    42.55.Xi
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 28: Angular and Temperature Tuning of Emission from Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Lasers (VECSELs). Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Electronic Properties of InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot Structures and Devices Studied by Photocurrent Spectroscopy
    Autorzy:
    Mowbray, D. J.
    Fry, P. W.
    Skolnick, M. S.
    Itskevich, I. E.
    Harris, L.
    Ashmore, A. D.
    Finley, J. J.
    Wilson, L. R.
    Schumacher, K. L.
    Barker, J. A.
    O'Reilly, E. P.
    Al-Khafaji, M.
    Cullis, A. G.
    Hopkinson, M.
    Clark, J. C.
    Hill, G.
    Tematy:
    78.66.Fd
    73.61.Ey
    73.50.Pz
    42.55.Px
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2000-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 30: Electronic Properties of InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot Structures and Devices Studied by Photocurrent Spectroscopy. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Two-Channel Optoelectronic Sensor Employing Cavity Enhanced Absorption Spectroscopy
    Autorzy:
    Wojtas, J.
    Tematy:
    07.07.Df
    42.25.Dd
    42.55.Px
    42.60.Da
    42.62.Fi
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2011-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 31: Two-Channel Optoelectronic Sensor Employing Cavity Enhanced Absorption Spectroscopy. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Application of Quantum Cascade Lasers in Nitric Oxide and Nitrous Oxide Detection
    Autorzy:
    Wojtas, J.
    Bielecki, Z.
    Stacewicz, T.
    Mikolajczyk, J.
    Medrzycki, R.
    Rutecka, B.
    Tematy:
    07.07.Df
    42.25.Dd
    42.55.Px
    42.60.Da
    42.62.Fi
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2011-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 33: Application of Quantum Cascade Lasers in Nitric Oxide and Nitrous Oxide Detection. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Parallel Optical Profilometry Assisted Conception of an Opto-Electronic Illuminator Using a VCSEL and Diffractive Optics
    Autorzy:
    Montgomery, P.
    Serio, B.
    Twardowski, P.
    Tematy:
    85.85.+j
    42.55.Px
    42.40.Eq
    42.87.Bg
    68.35.bg
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2014-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 34: Parallel Optical Profilometry Assisted Conception of an Opto-Electronic Illuminator Using a VCSEL and Diffractive Optics. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Nitrogen Oxides Optoelectronic Sensors Operating in Infrared Range of Wavelengths
    Autorzy:
    Wojtas, J.
    Bielecki, Z.
    Stacewicz, T.
    Mikolajczyk, J.
    Rutecka, B.
    Medrzycki, R.
    Tematy:
    07.07.Df
    42.25.Dd
    42.55.Px
    42.60.Da
    42.62.Fi
    85.60.-q
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2013-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 35: Nitrogen Oxides Optoelectronic Sensors Operating in Infrared Range of Wavelengths. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Mid-Infrared GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Lasers Technology
    Autorzy:
    Szerling, A.
    Karbownik, P.
    Kosiel, K.
    Kubacka-Traczyk, J.
    Pruszyńska-Karbownik, E.
    Płuska, M.
    Bugajski, M.
    Tematy:
    42.55.Px
    85.60.-q
    85.35.Be
    72.80.Ey
    73.61.Ey
    78.66.Fd
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2009-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 36: Mid-Infrared GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Lasers Technology. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
    Tytuł:
    Molecular Beam Epitaxy Growth for Quantum Cascade Lasers
    Autorzy:
    Kosiel, K.
    Szerling, A.
    Kubacka-Traczyk, J.
    Karbownik, P.
    Pruszyńska-Karbownik, E.
    Bugajski, M.
    Tematy:
    42.55.Px
    81.15.Hi
    85.60.-q
    85.35.Be
    73.63.-b
    63.22.-m
    72.80.Ey
    73.61.Ey
    78.66.Fd
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Pozycja nr 37: Molecular Beam Epitaxy Growth for Quantum Cascade Lasers. Przejdź do szczegółów egzemplarza
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-37 z 37

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies