Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Prystawko, P." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-9 z 9
Tytuł:
Localization Effects in GaN/AlGaN Quantum Well - Photoluminescence Studies
Autorzy:
Chwalisz, B.
Wysmołek, A.
Bożek, R.
Korona, K. P.
Stępniewski, R.
Knap, W.
Pakuła, K.
Baranowski, J. M.
Grandjean, N.
Massies, J.
Prystawko, P.
Grzegory, I.
Tematy:
78.55.Cr
73.20.-r
73.21.-b
74.40.+k
Pokaż więcej
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Pozycja nr 2: Localization Effects in GaN/AlGaN Quantum Well - Photoluminescence Studies. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Crack Free GaInN/AlInN Multiple Quantum Wells Grown on GaN with Strong Intersubband Absorption at 1.55μm
Autorzy:
Cywiński, G.
Skierbiszewski, C.
Feduniewicz-Żmuda, A.
Siekacz, M.
Nevou, L.
Doyennette, L.
Julien, F. H.
Prystawko, P.
Kryśko, M.
Grzanka, S.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Tematy:
68.65.Fg
78.66.-w
78.67.De
78.40.Fy
81.15.Hi
Pokaż więcej
Data publikacji:
2006-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Pozycja nr 3: Crack Free GaInN/AlInN Multiple Quantum Wells Grown on GaN with Strong Intersubband Absorption at 1.55μm. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Cathodoluminescence Profiling of InGaN-Based Quantum Well Structures and Laser Diodes - In-Plane Instabilities of Light Emission
Autorzy:
Godlewski, M.
Ivanov, V. Yu.
Goldys, E. M.
Phillips, M.
Böttcher, T.
Figge, S.
Hommel, D.
Czernecki, R.
Prystawko, P.
Leszczynski, M.
Perlin, P.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Tematy:
61.72.Ff
61.72.Mm
68.37.Hk
78.60.Hk
Pokaż więcej
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Pozycja nr 4: Cathodoluminescence Profiling of InGaN-Based Quantum Well Structures and Laser Diodes - In-Plane Instabilities of Light Emission. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
In-depth and in-plane profiling of light emission properties from semiconductor-based heterostructures
Autorzy:
Godlewski, M.
Wojtowicz, T.
Goldys, E. M.
Phillips, M. R.
Czernecki, R.
Prystawko, P.
Leszczynski, M.
Perlin, P.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Bottcher, T.
Figge, S.
Hommel, D.
Tematy:
semiconductors
heterostructures
cathodoluminescence
depth profiling
defect distribution
laser emission analysis
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 5: In-depth and in-plane profiling of light emission properties from semiconductor-based heterostructures. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Polarity Related Problems in Growth of GaN Homoepitaxial Layers
Autorzy:
Leszczyński, M.
Prystawko, P.
Śliwinski, A.
Suski, T.
Litwin-Staszewska, E.
Porowski, S.
Paszkiewicz, R.
Tłaczała, M.
Beaumont, B.
Gibart, P.
Barski, A.
Langer, R.
Knap, W.
Frayssinet, E.
Tematy:
61.72.Vv
65.70.+y
Pokaż więcej
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Pozycja nr 6: Polarity Related Problems in Growth of GaN Homoepitaxial Layers. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Relationship between Sample Morphology and Carrier Diffusion Length in GaN Thin Films
Autorzy:
Godlewski, M.
Goldys, E. M.
Phillips, M.
Böttcher, T.
Figge, S.
Hommel, D.
Czernecki, R.
Prystawko, P.
Leszczynski, M.
Perlin, P.
Wisniewski, P.
Suski, T.
Bockowski, M.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Tematy:
61.72.Ff
61.72.Mm
68.37.Hk
78.60.Hk
Pokaż więcej
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Pozycja nr 7: Relationship between Sample Morphology and Carrier Diffusion Length in GaN Thin Films. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi
GaN-based light emitting diodes with surface photonic crystals
Autorzy:
Gołaszewska, K.
Kruszka, R.
Myśliwiec, M.
Ekielski, M.
Jung, W.
Piotrowski, T.
Juchniewicz, M.
Bar, J.
Wzorek, M.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Sarzała, R. P.
Dems, M.
Wojtas, J.
Mędrzycki, R.
Prystawko, P.
Tematy:
diody elektroluminescencyjne
GaN
przyrządy półprzewodnikowe
kryształy fotoniczne
trawienie plazmowe
light emitting diodes
semiconductor devices
photonic crystals
plasma etching
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 8: Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Blue Laser on High N$\text{}_{2}$ Pressure-Grown Bulk GaN
Autorzy:
Grzegory, I.
Boćkowski, M.
Krukowski, S.
Łucznik, B.
Wróblewski, M.
Weyher, J.
Leszczyński, M.
Prystawko, P.
Czernecki, R.
Lehnert, J.
Nowak, G.
Perlin, P.
Teisseyre, H.
Purgał, W.
Krupczyński, W.
Suski, T.
Dmowski, L.
Litwin-Staszewska, E.
Skierbiszewski, C.
Łepkowski, S.
Porowski, S.
Data publikacji:
2001-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Pozycja nr 9: Blue Laser on High N$\text{}_{2}$ Pressure-Grown Bulk GaN. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
    Wyświetlanie 1-9 z 9

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies