Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Lindert, J. M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-11 z 11
Tytuł:
Event generators for high-energy physics experiments
Autorzy:
Chen, X.
Krauss, F.
Xie, K.
Gellersen, L.
Papaefstathiou, A.
Montagna, G.
Soldin, D.
Lang, J.
Zanderighi, G.
Neumann, T.
Cruz-Martinez, J.
Prestel, S.
Masouminia, M. R.
Machado, P.
Lindert, J. M.
Nagy, Z.
Lurkin, N.
Webber, B. R.
Gardiner, S.
Mazzitelli, J.
Rocco, M.
Uccirati, S.
Ullrich, T.
Maier, A.
Wagman, M.
Knobbe, M.
Ashkenazi, A.
Lönnblad, L.
McFayden, J.
Beekveld, M. van
Gauld, R.
Rocco, N.
Dasgupta, M.
Ferrario Ravasio, S.
Denner, A.
Ma, Y.
Dreyer, F. A.
Wiesemann, M.
Currie, J.
Mosel, U.
Lombardi, D.
Nadolsky, P.
Quackenbush, S.
Mrenna, S.
Yang, T.-Z.
Mastrolia, P.
Buckley, A.
Plätzer, S.
Hatcher, R.
Giele, W.
Chakraborty, S.
Medves, R.
Richardson, P.
Plehn, T.
Alioli, S.
Grazzini, M.
Gieseke, S.
Gallagher, H.
Baker, M. D.
Butterworth, J. M.
Darvishi, N.
Pellen, M.
Soper, D. E.
Lee, G.
Bothmann, E.
Winterhalder, R.
Tramontano, F.
Schönherr, M.
Marcoli, M.
Nason, P.
Niewczas, K.
Piccinini, F.
Rojo, J.
Löschner, M.
Frixione, S.
Chiesa, M.
Hen, O.
Bhattacharya, S.
Pandey, V.
Kerner, M.
Gallmeister, K.
Aschenauer, E. C.
White, O.
Pelliccioli, G.
Diefenthaler, M.
Mo, J.
Paz, G.
Papadopoulou, A.
Butter, A.
Kirchgaeßer, M. M.
Marinelli, G.
Zapp, K.
Ossola, G.
Ankowski, A. M.
Gavardi, A.
Ju, W.
Hobbs, T. J.
Carloni-Calame, C. M.
Giuli, F.
Klein, S.
Helenius, I.
Roiser, S.
Jones, S. P.
Smillie, J. M.
Flower, L.
Price, A. C.
Zanoli, S.
Bewick, G.
Nevay, L. J.
Singh Chahal, G.
Ulrich, Y.
Höfer, M.
Mattelaer, O.
Nagar, R.
Stagnitto, G.
Gaunt, J.
Roda, M.
Niehues, J.
Preuss, C. T.
Forshaw, J. R.
Maltoni, F.
Trojanowski, S.
Tomalak, O.
Höche, S.
Peraro, T.
Soto-Ontoso, A.
Monni, P. F.
El-Menoufi, B. K.
Płaczek, Wiesław
Gütschow, C.
Signer, A.
Bierlich, C.
Yazgan, E.
Magerya, V.
Verheyen, R.
Reuter, J.
Kling, F.
Isaacson, J.
Utheim, M.
Valassi, A.
Huss, A.
Weinstein, L.
Lang, J. -N.
Krause, C.
Skands, P.
Verbytskyi, A.
Barrow, J. L.
Friedland, A.
Re, E.
Ilten, P.
Reina, L.
Schuchmann, S.
Scyboz, L.
Tena-Vidal, J.
Wret, C.
Bredt, P.
Andreopoulos, C.
Nachman, B.
Lim, M. A.
Salam, G. P.
Schumann, S.
Hamilton, K.
Figueroa, D.
Childers, J. T.
Grohsjean, A.
Pires, J.
Schürmann, R.
Byrne, E. P.
Glover, E. W. N.
Reuschle, C.
Soyez, G.
Karlberg, A.
Majer, I.
Pickering, L.
Engel, T.
Gehrmann-De Ridder, A.
Tu, Z.
Gehrmann, T.
Siegert, F.
Whitehead, J.
Han, T.
Pozzorini, S.
Wilkinson, C.
Ohl, T.
Siódmok, Andrzej
Holguin, J.
Jadach, S.
Seymour, M. H.
Rottoli, L.
Rodriguez Garcia, A.
Campbell, J. M.
Li, S. W.
Napoletano, D.
Jentsch, A.
Andersen, J. R.
Reichelt, D.
Sjöstrand, T.
Williams, C.
Morgan, T.
Sobczyk, J. T.
Kallweit, S.
Dytman, S.
Frederix, R.
Hirschi, V.
Meinzinger, P.
Katori, T.
Walker, D.
Nicrosini, O.
Kilian, W.
Heinrich, G.
Broggio, A.
Data publikacji:
2024
Forma i typ:
artykuł w czasopiśmie
Dostawca treści:
Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego
Pozycja nr 1: Event generators for high-energy physics experiments. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET
An HSD-MAGFET analytical DC model
Autorzy:
Kordalski, W.
Boratyński, B.
Panek, M.
Polowczyk, M.
Zborowska-Lindert, I.
Ściana, B.
Szymański, K.
Woźniak, J.
Tematy:
tranzystor typu HSD MAGFET
czujniki pola magnetycznego
zmiany pola magnetycznego
transistor HSD MAGFET
magnetic field sensitivity
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 3: Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Technologia i charakteryzacja struktury p-i-n na bazie InGaAsN do zastosowania w ogniwie tandemowym InGaAsN/GaAs
Technology and characterization of InGaAsN p-i-n structure for InGaAsN/GaAs tandem solar cell
Autorzy:
Dawidowski, W.
Ściana, B.
Zborowska-Lindert, I.
Mikolášek, M.
Pucicki, D.
Radziewicz, D.
Bielak, K.
Badura, M.
Kováč, J.
Tłaczała, M.
Tematy:
ogniwo słoneczne p-i-n
ogniwo tandemowe
technologia AP-MOVPE
p-i-n solar cell
tandem solar cell
AP-MOVPE technology
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 5: Technologia i charakteryzacja struktury p-i-n na bazie InGaAsN do zastosowania w ogniwie tandemowym InGaAsN/GaAs. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
AP-MOVPE Technology and Characterization of InGaAsN p-i-n Subcell for InGaAsN/GaAs Tandem Solar Cell
Autorzy:
Dawidowski, W.
Ściana, B.
Zborowska-Lindert, I.
Mikolásek, M.
Latkowska, M.
Radziewicz, D.
Pucicki, D.
Bielak, K.
Badura, M.
Kováč, J.
Tłaczała, M.
Tematy:
dilute nitrides
AP MOVPE
subcell
tandem solar cell
J-V characteristics
Pokaż więcej
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Pozycja nr 6: AP-MOVPE Technology and Characterization of InGaAsN p-i-n Subcell for InGaAsN/GaAs Tandem Solar Cell. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Zastosowanie InGaAsN w konstrukcji ogniwa słonecznego p-i-n
Application of InGaAsN in construction of p-i-n solar cell
Autorzy:
Dawidowski, W.
Ściana, B.
Zborowska-Lindert, I.
Pucicki, D.
Radziewicz, D.
Bielak, K.
Latkowska, M.
Kovac, J.
Tłaczała, M.
Tematy:
rozcieńczone azotki
technologia AP-MOVPE
struktury MQW
ogniwo słoneczne p-i-n
dilute nitrides
AP-MOVPE technology
MQW structures
p-i-n solar cell
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 7: Zastosowanie InGaAsN w konstrukcji ogniwa słonecznego p-i-n. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Zastosowanie funkcji Lamberta W do wyznaczania parametrów jednodiodowego modelu ogniw słonecznych
Application of Lambert W function for determination the single junction model parameters of solar cells
Autorzy:
Dawidowski, W.
Ściana, B.
Zborowska-Lindert, I.
Mikolášek, M.
Pucicki, D.
Radziewicz, D.
Bielak, K.
Badura, M.
Kováč, J.
Tłaczała, M.
Tematy:
jednodiodowy model ogniwa słonecznego
funkcja Lamberta W
parametry ogniwa
single junction model of solar cell
Lambert W function
solar cell parameters
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 8: Zastosowanie funkcji Lamberta W do wyznaczania parametrów jednodiodowego modelu ogniw słonecznych. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
AP-MOVPE Technology and Characterization of InGaAsN p-i-n Subcell for InGaAsN/GaAs Tandem Solar Cell
Autorzy:
Dawidowski, W.
Ściana, B.
Zborowska-Lindert, I.
Mikolásek, M.
Latkowska, M.
Radziewicz, D.
Pucicki, D.
Bielak, K.
Badura, M.
Kováč, J.
Tłaczała, M.
Tematy:
dilute nitrides
AP MOVPE
subcell
tandem solar cell
J-V characteristics
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 9: AP-MOVPE Technology and Characterization of InGaAsN p-i-n Subcell for InGaAsN/GaAs Tandem Solar Cell. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Technology and characterisation of GaAsN/GaAs heterostructures for photodetector applications
Autorzy:
Ściana, B.
Zborowska-Lindert, I.
Pucicki, D.
Boratyński, B.
Radziewicz, D.
Tłaczała, M.
Serafińczuk, J.
Poloczek, P.
Sęk, G.
Misiewicz, J.
Tematy:
diluted nitrides
atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy technique
AP MOVPE
GaAsN/GaAs metal-semiconductor-metal photodetectors
DC I-V characteristics
spectral response
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 10: Technology and characterisation of GaAsN/GaAs heterostructures for photodetector applications. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
    Wyświetlanie 1-11 z 11

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies