Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "plasma etching" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-18 z 18
Tytuł:
Wpływ materiału maskującego na jakość odwzorowania w procesie suchego trawienia węglika krzemu 4H-SiC w plazmie chlorowej
Influence of masking materials on the quality of mapping in silicon carbide 4H-SiC dry etching processes in chlorine plasma
Autorzy:
Stonio, Bartłomiej
Kwietniewski, Norbert
Firek, Piotr
Słowikowski, Mateusz
Pavłov, Krystian
Sochacki, Mariusz
Szmidt, Jan
Tematy:
węglik krzemu
4H-SiC
trawienie plazmowe
Cl2
ICP
silicon carbide
plasma etching
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 2: Wpływ materiału maskującego na jakość odwzorowania w procesie suchego trawienia węglika krzemu 4H-SiC w plazmie chlorowej. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Wpływ reaktywnego trawienia jonowego wspomaganego plazmą BCl3 na jakość powierzchni węglika krzemu 4H-SiC
Investigation of reactive ion etching using BCl3 plasma on the 4H-SiC surface quality
Autorzy:
Stonio, Bartłomiej
Kwietniewski, Norbert
Firek, Piotr
Słowikowski, Mateusz
Pavłov, Krystian
Caban, Piotr
Sochacki, Mariusz
Szmidt, Jan
Tematy:
suche trawienie
4H-SiC
jakość powierzchni
techniki plazmowe
silicon carbide
plasma etching
surface quality
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 3: Wpływ reaktywnego trawienia jonowego wspomaganego plazmą BCl3 na jakość powierzchni węglika krzemu 4H-SiC. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Modyfikacja powierzchni folii poliimidowej w wyładowaniu barierowym z zastosowaniem różnych gazów roboczych
Surface modification of polyimide film with dielectric barrier discharge under different plasma gases
Autorzy:
Kalczewska, M.
Opalińska, T.
Więch, M.
Tematy:
wyładowanie z barierą dielektryka
plazma
poliimid
trawienie plazmowe
modyfikacja powierzchni
dielectric barrier discharge
plasma
polyimide
plasma etching
surface modification
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 4: Modyfikacja powierzchni folii poliimidowej w wyładowaniu barierowym z zastosowaniem różnych gazów roboczych. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Zastosowanie procesu Boscha do plazmowego trawienia krzemu
Bosch process for silicon plasma etching
Autorzy:
Góra, K.
Kozłowski, A.
Tematy:
proces Boscha
ICP
trawienie plazmowe krzemu
współczynnik kształtu
Bosch process
plasma etching
high aspect ratio
silicon etched profile
Pokaż więcej
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Pozycja nr 5: Zastosowanie procesu Boscha do plazmowego trawienia krzemu. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi
GaN-based light emitting diodes with surface photonic crystals
Autorzy:
Gołaszewska, K.
Kruszka, R.
Myśliwiec, M.
Ekielski, M.
Jung, W.
Piotrowski, T.
Juchniewicz, M.
Bar, J.
Wzorek, M.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Sarzała, R. P.
Dems, M.
Wojtas, J.
Mędrzycki, R.
Prystawko, P.
Tematy:
diody elektroluminescencyjne
GaN
przyrządy półprzewodnikowe
kryształy fotoniczne
trawienie plazmowe
light emitting diodes
semiconductor devices
photonic crystals
plasma etching
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 6: Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Polisiloksanowe powłoki implantów medycznych : wpływ plazmy fluorowej na skład chemiczny i właściwości polisiloksanu
Plasma treated polysiloxane coating for medical implants
Autorzy:
Szmigiel, D.
Domański, K.
Prokaryn, P.
Grabiec, P.
Pamuła, E.
Ścisłowska-Czarnecka, A.
Płytycz, B.
Tematy:
elastomer
polisiloksan
powłoki implantów medycznych
trawienie plazmowe
właściwości powierzchni
silicone elastomer
polysiloxane
coating for medical implants
plasma etching
surface properties
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 8: Polisiloksanowe powłoki implantów medycznych : wpływ plazmy fluorowej na skład chemiczny i właściwości polisiloksanu. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Zastosowanie procesu Boscha do plazmowego trawienia krzemu = Bosch process for silicon plasma etching
Zastosowanie procesu Boscha do plazmowego trawienia krzemu
Materiały Elektroniczne 2011 T.39 nr 2
Autorzy:
Góra Krzysztof
Współwytwórcy:
Kozłowski Andrzej
Data publikacji:
2011
Wydawca:
ITME
Forma i typ:
Tekst
Tekst
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Pozycja nr 9: Zastosowanie procesu Boscha do plazmowego trawienia krzemu = Bosch process for silicon plasma etching. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Książka
Tytuł:
Wytwarzanie, trawienie plazmowe i właściwości cienkich warstw BaTiO3 do zastosowań elektronicznych
Deposition, plasma etching and properties of BaTiO3 thin films for electronic aplication
Autorzy:
Firek, P.
Werbowy, A.
Kwietniewski, N.
Szmidt, J.
Olszyna, A.
Ćwil, M.
Tematy:
tytanian baru
osadzanie w plazmie impulsowej
rozpylanie w plazmie o częstotliwości radiowej
morfologia powierzchni
właściwości elektryczne
trawienie plazmowe
barium titanate
impulse plasma ablation deposition
radio frequency plasma sputerring deposition
surface morphology
electrical propeties
plasma etching
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 10: Wytwarzanie, trawienie plazmowe i właściwości cienkich warstw BaTiO3 do zastosowań elektronicznych. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Wpływ trawienia plazmą na wybrane parametry cienkich warstw CdTe i SnO2 dla zastosowań fotowoltaicznych
The influence of plasma etching on selected parameters of thin layers CdTe and SnO2 for photovoltaic applications
Autorzy:
Lichograj, R.
Olchowik, J. M.
Lichograj, P.
Czernik, S.
Tematy:
tellurek kadmu
tlenek cyny
cienka warstwa
napylanie magnetronowe
rozpylanie jonowe
trawienie plazmowe
modyfikacja powierzchni
ogniwo fotowoltaiczne
cadmium telluride
tin oxide
thin layer
magnetron sputtering
ion sputtering
plasma etching
surface modification
photovoltaic cell
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 11: Wpływ trawienia plazmą na wybrane parametry cienkich warstw CdTe i SnO2 dla zastosowań fotowoltaicznych. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Nanostemplowanie w zastosowaniu do wytwarzania struktur fotonicznych w GaN
GaN photonic structures fabrication using nanoimprint technology
Autorzy:
Ekielski, M.
Sidor, Z.
Juchniewicz, M.
Płuska, M.
Wzorek, M.
Piotrowska, A.
Kolkovsky, V.
Żytkiewicz, Z.
Gruszka, M.
Kucharski, R.
Tematy:
nanostemplowanie
trawienie
plazma BCl3/CI2
GaN
nanoimprint
dry etching
BCI3/CI2 plasma
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 12: Nanostemplowanie w zastosowaniu do wytwarzania struktur fotonicznych w GaN. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Reaktywne trawienie jonowe heterostruktur AlGaN/GaN w plazmie Cl₂/BCl₃
Reactive ion etching of AlGaN/GaN heterostructures in Cl₂/BCI₃ plasma
Autorzy:
Gryglewicz, J.
Oleszkiewicz, W.
Wośko, M.
Szyszka, A.
Paszkiewicz, B.
Tematy:
reaktywne trawienie jonowe
plazma
DC bias
heterostruktura AlGaN/GaN
reactive ion etching
plasma
AlGaN/GaN heterostructure
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 13: Reaktywne trawienie jonowe heterostruktur AlGaN/GaN w plazmie Cl₂/BCl₃. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Trawienie fosforku indu w plaźmie chlorowej metodą ICP
Etching of indium phosphide by ICP in Cl2 : based plasma
Autorzy:
Ruta, Ł.
Kalinowski, A.
Fałkowski, G.
Besland, M.-P.
Tematy:
suche trawienie fosforku indu
metoda indukcyjnie sprzężonej plazmy
dry etching of indium phosphide
inductively coupled plasma method
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 14: Trawienie fosforku indu w plaźmie chlorowej metodą ICP. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Kontrolowane trawienia plazmą BCI₃/Ar cienkich warstw AlGaN dla technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN
Controlled etching of thin AlGaN films using BCI₃/Ar plasma for AlGaN/ GaN HEMT technology
Autorzy:
Kruszka, R.
Gołaszewska, K.
Taube, A.
Sidor, Z.
Borysiewicz, M.
Żytkiewicz, Z. R.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Tematy:
AlGaN/GaN
HEMT
trawienie warstwy podkontaktowej
plazma BCI3
kontakty omowe
contact recess etching
BCI3 plasma
ohmic contacts
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 15: Kontrolowane trawienia plazmą BCI₃/Ar cienkich warstw AlGaN dla technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Natrysk plazmowy, trawienie, piaskowanie - nowe rozwiązania dla medycyny.
Plasma spraying, etching, sand blasting - new solutions for medicine.
Autorzy:
Łukowski, J.
Skura, M.
Tematy:
natrysk plazmowy
trawienie
piaskowanie
wszczep protetyczny
medycyna
powierzchnia rozwinięta
mikrostruktura
plasma spraying
etching
sand blasting
implant
medicine
developing surface
microstructure
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 16: Natrysk plazmowy, trawienie, piaskowanie - nowe rozwiązania dla medycyny.. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Powłoki BN otrzymywane metodą impulsowo plazmową.
BN coatings obtained by the pulse plasma method.
Autorzy:
Michalski, A.
Sobczak, S.
Kupczyk, M.
Tematy:
powłoka BN
powłoka azotkowa
metoda impulsowo-plazmowa
płytka skrawająca
trwałość
adhezja
trawienie chemiczne
BN coatings
pulse plasma method
tool insert
lifetime
adhesion
chemical etching
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 17: Powłoki BN otrzymywane metodą impulsowo plazmową.. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
Tytuł:
Modelowanie rozkładu energetycznego jonów w plazmie w. cz. przez dopasowanie teoretycznych profili poimplantacyjnych do profilu uzyskanego z pomiarów SIMS
A novel method of energy distribution of ions in r. f plasma evaluation by compared fluorine distribution profiles simulated by SRIM with fluorine distribution profile obtained by SIMS
Autorzy:
Kalisz, M.
Beck, R. B.
Tematy:
plazma wysokiej częstotliwości
bardzo płytka implantacja jonów
profile rozkładu fluoru
reaktywne trawienie jonowe
RF plasma
ultra-shallow ion implantation
fluore distribution profiles
ion energy spectrum
reactive ion etching
Pokaż więcej
Dostawca treści:
BazTech
Pozycja nr 18: Modelowanie rozkładu energetycznego jonów w plazmie w. cz. przez dopasowanie teoretycznych profili poimplantacyjnych do profilu uzyskanego z pomiarów SIMS. Przejdź do szczegółów egzemplarza
Artykuł
    Wyświetlanie 1-18 z 18

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies