Temat: plasma etching - Wspólny katalog bibliotek Konsorcjum Akademickiego

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Properties of Al contacts to Si surface exposed in the course of plasma etching of previously grown nanocrystalline c-BN film
Autorzy:: Firek, P.
Werbowy, A.
Szmidt, J.
Olszyna, A. R.
Tematy:: cubic boron nitride
plasma etching
electric contacts; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Analysis of the Dispersion of Electrical Parameters and Characteristics of FinFET Devices
Autorzy:: Malinowski, A.
Tomaszewski, D.
Łukasiak, L.
Jakubowski, A.
Sekine, M.
Hori, M.
Korwin-Pawlowski, M. L.
Tematy:: FinFET
line edge roughness
parameter variability
plasma etching
technology computer aided design (TCAD); Pokaż więcej
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: The role of fluorine-containing ultra-thin layer in controlling boron thermal diffusion into silicon
Autorzy:: Kalisz, M.
Beck, R. B.
Barcz, A.
Ćwil, M.
Tematy:: fluorine
reactive ion etching
silicon fluoride
boron thermal diffusion
fluorocarbon plasma; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Novel Method of Improving Electrical Properties of Thin PECVD Oxide Films by Fluorination of Silicon Surface Region by RIE in RF CF4 Plasma
Autorzy:: Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Tematy:: capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
radio frequency reactive ion etching; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma
Autorzy:: Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Tematy:: capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
high temperature annealing process
radio frequency reactive ion etching; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja