- Tytuł:
- Capacitance-voltage and Auger chemical profile studies on AlGaN/GaN structures passivated by SiO2/Si3N4 and SiNx /Si3N4 bilayers.
- Autorzy:
-
Adamowicz, B.
Miczek, M.
Hashizume, T.
Klimasek, A.
Żywiecki, J. - Tematy:
-
gallium nitride
HEMT
insulated gate
passivation
C-V
Auger spectroscopy
chemical in-depth profiles - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł